header-logo

Kunstmatige intelligentie gedreven marketing communicatie

Vrijwaring: de onderstaande tekst is automatisch vertaald vanuit een andere taal met behulp van een vertaaltool van derden.


GaN halfgeleiderapparaat marktgrootte, aandeel en trendanalyse tot 2031

Oct 10, 2023 1:00 PM ET

InsightAce Analytic Pvt. Ltd. kondigt de publicatie aan van een marktbeoordelingsrapport over de Global GaN Semiconductor Device Market-(Per Type (Opto-Semiconductor, RF Semiconductors, Power Semiconductor), Per Device (Discrete Semiconductor, Integrated Semiconductor), Per Toepassing (Lightning & Lasers, Power Drives (LiDAR, Industrial Drives, E.V. drives), Supplies & Inverters (SMPS, Inverters, Wireless Charging, E.V. charging), Radio Frequency (R.F.),

Front-End Module (FEM), Repeater/Booster/DAS, Radar & Satellite)), Per Vertical (Consumer & Business Enterprises, Industrial, Automotive, Telecommunications, Aerospace & Defense, Healthcare, Energy & Power), Per Voltage Range (Less than 100 V, 100-500 V, More than 500 V)), Trends, Industry Competition Analysis, Revenue and Forecast To 2031.”

Volgens het nieuwste onderzoek van InsightAce Analytic wordt de wereldwijde GaN halfgeleiderapparaatmarkt gewaardeerd op US$ 20,18 miljard in 2022 en zal deze naar verwachting US$ 34,53 miljard bereiken in 2031, met een CAGR van 6,3% tijdens een voorspellingsperiode van 2023-2031.

Ontvang een gratis proefexemplaar van het rapport: https: //www.insightaceanalytic.com/request-sample/2119

Een GaN (Gallium Nitride) halfgeleiderapparaat is een elektronisch component dat GaN gebruikt als halfgeleidermateriaal voor zijn constructie. GaN is een geavanceerd halfgeleidermateriaal met verschillende voordelen ten opzichte van traditionele materialen zoals silicium.

De recente stijging van de vraag naar energie-efficiënte halfgeleiderelementen heeft ook bijgedragen tot de groeiende populariteit. De voordelen van GaN-halfgeleiderelementen ten opzichte van siliciumelementen hebben bijgedragen tot de groei van de markt. Siliciummaterialen worden gebruikt voor de productie van elektronische gadgets zoals smartphones, computers, camera’s en televisies.

Aan de andere kant hebben GaN-halfgeleiderapparaten, die 100 keer sneller zijn dan silicium, een kans door de vertraging in het creatieve potentieel van silicium. GaN-apparaten presteren op een aantal manieren beter dan silicium, zoals hogere snelheid, lagere kosten en betere energie-efficiëntie.

De groeiende behoefte aan spelconsoles, mobiele telefoons, laptops en tv’s zal de markt voor GaN-halfgeleiders in de consumentenelektronica-industrie waarschijnlijk stimuleren. De vraag naar GaN vermogenshalfgeleiders in de ICT-markt is gestegen door de introductie van de 5G-standaard, waardoor de vraag naar basisstations en krachtige transistors is toegenomen.

Lijst van prominente spelers op de markt voor GaN halfgeleiderelementen:

  • Wolfspeed, Inc. (VS)
  • Qorvo, Inc. (VS.)
  • MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. (VS.)
  • Infineon Technologies AG (Duitsland)
  • Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Japan)
  • Mitsubishi Electric Groep (Japan)
  • NexGen Power Systems. (VS)
  • GaN Systems (Canada)
  • Efficient Power Conversion Corporation (VS)
  • Odyssey Semiconductor Technologies, Inc. (VS.)
  • ROHM Co., Ltd. Ltd. (Japan)
  • STMicroelectronics NV (Zwitserland)
  • NXP Halfgeleiders NV (Nederland)
  • Transphorm, Inc,
  • Analoog Devices, Inc,
  • Texas Instruments Incorporated,
  • Navitas Halfgeleider,
  • Microchip Technology Inc,
  • Powdec,
  • Northrop Grumman Corporation,
  • Shindengen Electric Manufacturing Co,
  • Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation,
  • Renesas Electronics Corporation,
  • Gallium Halfgeleider,
  • GaNpower

Marktdynamiek:

Drivers-

De stijgende vraag naar consumentenelektronica zoals laptops, smartphones, voedingsadapters, hogesnelheidsopladers, LED-verlichting, smart-home-apparaten en game-apparaten zal de groei van de markt waarschijnlijk aanzienlijk beïnvloeden. Het gebruik van GaN-halfgeleiders in consumentenelektronica verhoogt de vermogensdichtheid en efficiëntie.

Het verbetert de oplaadsnelheid, biedt een langere levensduur en verbruikt minder elektriciteit. GaN-halfgeleiderelementen, zoals basisstations en andere netwerkapparatuur, worden ook gebruikt in bedrijfstoepassingen. Het vermogen om hoge vermogens en hoge frequenties te verwerken verbetert de draadloze communicatie. Als gevolg hiervan wordt verwacht dat de stijgende vraag in de consumentenelektronica-industrie en van bedrijven de expansie van de markt zal stimuleren.

Uitdagingen:

De dure kosten van GaN halfgeleiderelementen belemmeren hun wijdverspreide implementatie. Verschillende factoren dragen bij tot hun hoge prijs. Om te beginnen vereist het maken van GaN-substraten, de basis waarop de devices gemaakt worden, gesofisticeerde methodes die gespecialiseerde apparatuur en kennis vereisen.

Vergeleken met meer ontwikkelde halfgeleidermaterialen zoals silicium, verhoogt deze complexiteit de productiekosten dramatisch. Bovendien draagt de schaarste aan GaN-substraten van hoge kwaliteit bij aan hun hoge prijs, wat schaalvoordelen bij de productie beperkt.

Regionale trends:

De Noord-Amerikaanse markt voor GaN halfgeleiderelementen zal naar verwachting een groot marktaandeel in termen van inkomsten registreren en zal in de nabije toekomst naar verwachting groeien met een hoge CAGR. Belangrijke spelers in de Verenigde Staten, zoals Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation, Macom, Microsemi, Northrop

Grumman Corporation, Qorvo, Inc. en anderen, hebben bijgedragen aan deze expansie. De suprematie van deze regio is ook te danken aan de toegenomen aankoop van galliumnitride apparaten en andere gerelateerde technologieën in de Verenigde Staten en Canada. Texas Instruments Incorporated en Qorvo, Inc. zijn op zoek naar financiering voor de productie van GaN-gebaseerde apparaten in de Verenigde Staten.

De aanwezigheid van gevestigde halfgeleiderfabrikanten zoals Toshiba (Japan), Nichia Corporation (Japan) en Mitsubishi Electric (Japan), de toenemende integratie in consumenten- en zakelijke marktsegmenten en overheidsinitiatieven voor innovatie en industriële ontwikkeling zijn de belangrijkste factoren die de groei van de markt in Azië-Pacific stimuleren.

Nieuwsgierig naar deze nieuwste versie van het rapport? Informeer voordat u koopt: https://www.insightaceanalytic.com/enquiry-before-buying/2119

Recente ontwikkelingen:

  • In juni 2023 heeft NexGen het begin van de productie aangekondigd van ‘s werelds eerste 700V en 1200V verticale GaN-halfgeleiders, die de hoogste schakelfrequenties vertonen. De 1200V verticale GaN e-mode Fin-jFET’s ontwikkeld door NexGen waren de enige apparaten met een brede bandkloof die effectief schakelfrequenties van meer dan 1 MHz vertoonden bij een nominale spanning van 1,4 kV.
  • In december 2021 kondigde Microchip Technology, Inc. een aanzienlijke uitbreiding aan van zijn Gallium Nitride (GaN) Radio Frequency (RF) power device portfolio met de toevoeging van nieuwe MMIC’s en discrete transistors voor frequenties tot 20 gigahertz (GHz). Door de combinatie van een hoge PAE (power-added efficiency) en een hoge lineariteit maken de apparaten nieuwe prestatieniveaus mogelijk in toepassingen variërend van 5G tot elektronische oorlogsvoering, satellietcommunicatie, commerciële en defensieradarsystemen en testapparatuur.

Segmentatie van GaN halfgeleiderapparatenmarkt-

Naar type

  • Opto-halfgeleider
  • RF-halfgeleiders
  • Vermogen Halfgeleider

Per Apparaat

  • Discrete halfgeleider
  • Geïntegreerde halfgeleider

Door Toepassing

  • Bliksem & Lasers
  • Vermogensaandrijving
    • LiDAR
    • Industriële aandrijvingen
    • E.V. aandrijvingen
  • Voedingen & Omvormers
    • SMPS
    • Omvormers
    • Draadloos opladen
    • E.V. opladen
  • Radiofrequentie (R.F.)
    • Front-end module (FEM)
    • Repeater/Booster/DAS
    • Radar & Satelliet

Door Vertical-

  • Consumenten & Bedrijven
  • Industrieel
  • Auto-industrie
  • Telecommunicatie
  • Lucht- en ruimtevaart & Defensie
  • Gezondheidszorg
  • Energie & Energie

Op spanningsbereik-

  • Minder dan 100 V
  • 100-500 V
  • Meer dan 500 V

Per regio

Noord-Amerika-

  • De VS
  • Canada
  • Mexico

Europa-

  • Duitsland
  • Verenigd Koninkrijk
  • Frankrijk
  • Italië
  • Spanje
  • Rest van Europa

Azië-Stille Oceaan-

  • China
  • Japan
  • India
  • Zuid-Korea
  • Zuidoost-Azië
  • Rest van Azië-Pacific

Latijns-Amerika-

  • Brazilië
  • Argentinië
  • Rest van Latijns-Amerika

Midden-Oosten & Afrika-

  • GCC-landen
  • Zuid-Afrika
  • Rest van Midden-Oosten en Afrika

Voor meer maatwerk @ https://www.insightaceanalytic.com/report/gan-semiconductor-device-market/2119

Over ons:

InsightAce Analytic is een marktonderzoeks- en adviesbureau dat klanten in staat stelt strategische beslissingen te nemen. Onze kwalitatieve en kwantitatieve marktonderzoeksoplossingen informeren over de behoefte aan markt- en concurrentie-informatie om bedrijven uit te breiden. Wij helpen klanten een concurrentievoordeel te behalen door onaangeboorde markten te identificeren, nieuwe en concurrerende technologieën te onderzoeken, potentiële markten te segmenteren en producten te herpositioneren. Onze expertise ligt in het leveren van gesyndiceerde en op maat gemaakte marktintelligentie rapporten met een diepgaande analyse met belangrijke marktinzichten op een tijdige en kosteneffectieve manier.

Neem contact met ons op: InsightAce Analytic Pvt. Ltd. Tel.: 1 718 593 4405 Email: [email protected] Site Visit: www.insightaceanalytic.com Volg ons op LinkedIn @ bit.ly/2tBXsgS Volg ons op Facebook @ bit.ly/2H9jnDZ


Keywords:  GaN Semiconductor Device Market,GaN Semiconductor,GaN Semiconductor Device