De markt voor GaN-halfgeleiderelementen zal in 2030 meer dan USD 10,73 miljard bedragen vanwege de groeiende 5G-infrastructuur en de snelle ontwikkeling van consumentenelektronica

GaN halfgeleiderelementen markt Scope & Overzicht

Volgens het rapport van SNS Insider heeft de markt voor GaN-halfgeleiderelementen in 2022 een waarde van 2,17 miljard USD bereikt. Prognoses wijzen op een robuust groeitraject met een samengesteld jaarlijks groeipercentage (CAGR) van 22,1% tussen 2023 en 2030, waardoor de marktwaarde uiteindelijk zal stijgen tot USD 10,73 miljard in 2030. De markt voor GaN-halfgeleiderelementen wordt aangedreven door een convergentie van factoren die tegemoetkomen aan de groeiende vraag naar krachtige, energie-efficiente oplossingen in verschillende industrieen.

In het dynamische landschap van de halfgeleidertechnologie heeft Gallium Nitride (GaN) zich ontpopt als een baanbrekend materiaal dat elektronische apparaten naar nieuwe gebieden van efficientie, vermogen en miniaturisatie stuwt. GaN-halfgeleiderelementen vertegenwoordigen een transformatieve sprong ten opzichte van traditionele siliciumgebaseerde componenten en bieden ongeevenaarde prestatievoordelen die de toekomst van verschillende industrieen vormgeven, van consumentenelektronica tot geavanceerde energiesystemen en nog veel meer. GaN onderscheidt zich van conventionele siliciumhalfgeleiders door zijn uitzonderlijke elektronenmobiliteit en brede bandkloof.

Ontvang een gratis voorbeeldrapport van GaN halfgeleiderapparaten markt @ https://www.snsinsider.com/sample-request/1305

De belangrijkste spelers in het GaN halfgeleiderelementen marktrapport zijn:

Osram Opto-semiconductors, Panasonic Semiconductors, Texas Instruments, RF Micro Devices Corporation, Cree Incorporated, Toshiba, Aixtron SE, Infineon Technologies, Gallia Semiconductor, ROHM Company Limited, Fujitsu Ltd, NXP Semiconductors, Koninklijke Philips N.V., Nichia Corporation, Qorvo en anderen.

Marktanalyse

De markt voor GaN-halfgeleiderelementen kent een robuuste groei, gedreven door een convergentie van factoren die industrieen hervormen en innovatie stimuleren. De wereldwijde uitrol van 5G-netwerken stimuleert de vraag naar GaN-apparaten in de telecommunicatiesector. Het vermogen van GaN om bij hogere frequenties te werken maakt de efficiente overdracht van gegevens met hoge snelheid mogelijk en de realisatie van de hogere bandbreedtevereisten van 5G-netwerken. Naarmate de vraag naar snellere en betrouwbaardere connectiviteit toeneemt, wordt GaN-technologie een cruciale component in de ontwikkeling van 5G-infrastructuur. De vraag naar kleinere, krachtigere en energie-efficientere elektronische apparaten blijft stijgen. GaN-technologie vergemakkelijkt de ontwikkeling van compacte voedingsadapters, snelladers en energiebeheeroplossingen voor laptops, smartphones, wearables en andere consumentenelektronica. De hogere oplaadsnelheid en kleinere vormfactor die GaN-apparaten bieden, sluiten aan bij de voorkeur van consumenten voor gemak en draagbaarheid.

GaN halfgeleiderelementen marktsegmentatie als volgt:

NAAR TYPE
Depletiemodus
Cascode-modus
GaN radiofrequentie-apparaten
Opto-halfgeleiders
Vermogenshalfgeleiders
RF-halfgeleiders

OP WAFERGROOTTE
2″
4″
6″
8″

NAAR COMPONENT
Transistor
Diode
Gelijkrichter
Voedings-IC
Andere

NAAR TOEPASSING
Signaal
Vermogen
Communicatie
Consumentenelektronica
Auto-industrie
Militair & Defensie
Medisch
Verlichting en Lasers
Voedingen en omvormers
Radiofrequentie
Andere

Gesegmenteerd per regio/land:
Noord-Amerika
Europa
China
Japan
Azie Overige

Ontvang gratis kwartaalupdates. Klik op de link voor meer informatie @ https://www.snsinsider.com/enquiry/1305

Impact van recessie

Hoewel recessies ongetwijfeld een uitdaging kunnen vormen voor de markt van GaN-halfgeleiders, hangt de mate van hun impact af van verschillende factoren, waaronder de ernst en de duur van de economische neergang, het overheidsbeleid en het aanpassingsvermogen van de industrie. Bedrijven in het GaN-ecosysteem moeten wendbaar blijven, hun toepassingen diversifieren en samenwerken in verschillende sectoren om door deze moeilijke tijden te navigeren en er sterker uit te komen.

Impact van de oorlog tussen Rusland en Oekraine

De impact van de oorlog tussen Rusland en Oekraine op de markt voor GaN-halfgeleiderelementen onderstreept de onderlinge verbondenheid van wereldwijde industrieen. De resultaten hangen af van de duur en de intensiteit van het conflict, het vermogen van fabrikanten om zich aan te passen aan de uitdagingen van de toeleveringsketen en de veerkracht van de technologiesector als geheel. Hoewel er sprake kan zijn van onmiddellijke verstoringen, zullen de langetermijngevolgen afhangen van het vermogen van de spelers in de sector om zich een weg te banen door de complexiteit van het conflict en hun strategieen dienovereenkomstig aan te passen.

Belangrijke regionale ontwikkelingen

Noord-Amerika blijft een koploper wat betreft het gebruik van GaN-halfgeleiderelementen, dankzij het robuuste ecosysteem voor onderzoek en ontwikkeling en de vele technologiereuzen die investeren in baanbrekende technologieen. De regio Azie-Stille Oceaan, die bekend staat om zijn bekwaamheid in de productie van halfgeleiders, is snel een belangrijke speler geworden op de markt van GaN-halfgeleiderelementen. Landen als China, Japan, Zuid-Korea en Taiwan hebben hun inspanningen opgevoerd om GaN-apparaten te ontwikkelen en op grote schaal te produceren. Europa\’s engagement voor duurzaamheid en energie-efficientie heeft de toepassing van GaN halfgeleiderelementen gestimuleerd, vooral op het gebied van hernieuwbare energie en vermogenselektronica. De strenge normen voor energie-efficientie in de regio hebben geleid tot de integratie van GaN-apparaten in energieomzettingssystemen voor zonne-inverters, windturbines en oplaadstations voor elektrische voertuigen.

Belangrijkste resultaten van de marktstudie voor GaN halfgeleiderelementen

– Depletion mode segmenten vertegenwoordigen een belangrijke sprong voorwaarts in GaN-technologie en bieden ongeevenaarde voordelen in vermogensbeheer en signaalversterking. In tegenstelling tot enhancement mode devices die een positieve spanning nodig hebben om te werken, werken depletion mode devices inherent in een “aan” toestand met nul gate voltage.

– Het transistorsegment binnen het GaN halfgeleiderdomein is eveneens klaar om een revolutie teweeg te brengen in industrieen die hogere vermogensdichtheden en betere prestaties vereisen. GaN-transistoren kunnen opmerkelijk goed omgaan met hogere spanningsniveaus en stroomdichtheden, waardoor ze ideale kandidaten zijn voor diverse toepassingen.

Recente ontwikkelingen op de markt voor GaN halfgeleiderelementen

– In een baanbrekende ontwikkeling heeft Transphorm, een toonaangevend technologiebedrijf gespecialiseerd in geavanceerde materialen en innovatieve oplossingen, een opmerkelijk contract van $15 miljoen binnengehaald van de National Security Technology Accelerator (NSTA).

– Transphorm, een baanbrekend bedrijf op het gebied van Gallium Nitride (GaN) technologie, heeft een aanzienlijke uitbreiding van haar wereldwijde aanwezigheid aangekondigd met de oprichting van een geavanceerd GaN applicatielab in China.

Inhoudsopgave – Analyse van de belangrijkste punten

1. Inleiding
2. Methodologie van het onderzoek
3. Marktdynamiek
4. Impactanalyse
4.1 COVID-19 Impactanalyse
4.2 Impact van de oorlog tussen Oekraine en Rusland
4.3 Impact van aanhoudende recessie op grote economieen
5. Waardeketenanalyse
6. Porter\’s 5 krachten model
7. PEST-analyse
8. GaN halfgeleiderelementen marktsegmentatie, per type
9. GaN halfgeleiderelementen marktsegmentatie, per wafergrootte
10. GaN halfgeleiderelementen marktsegmentatie, per toepassing
11. Regionale analyse
12. Bedrijfsprofielen
13. Concurrentielandschap
14. Conclusie

Koop PDF voor een gebruiker @ https://www.snsinsider.com/checkout/1305